专利详情

专利名称	薄膜光伏电池及其制造方法
申请号	CN200910108711.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101944541A	公开（授权）日	2011.01.12
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	宋秋明;肖旭东;强骥鹏;施成营;刘壮;陈旺寿
主分类号	H01L31/042(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	薄膜光伏电池及其制造方法至薄膜光伏电池及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种薄膜光伏电池及其制造方法。所述薄膜光伏电池包括衬底、电极层、p型吸收层、n型缓冲层、高阻层、窗口层；所述衬底、电极层、p型吸收层、n型缓冲层、高阻层、窗口层按着从下到上的顺序层叠设置；所述窗口层是近红外波段低吸收高电导ZnO基透明导电窗口层；所述薄膜光伏电池采用陷光结构。所述薄膜光伏电池的制造方法包括：提供衬底；沉积电极层；沉积p型吸收层；沉积n型缓冲层；沉积高阻层；沉积近红外低吸收ZnO基窗口层；形成陷光结构。所述薄膜光伏电池的吸收层厚度较小，并且有效光利用率较高。