专利详情

专利名称	对爆炸物荧光检测的含双带隙光子晶体的荧光检测膜的制备方法
申请号	CN201010238385.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101941315A	公开（授权）日	2011.01.12
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	李珩;王京霞;宋延林
主分类号	B32B27/06(2006.01)I	IPC主分类号	B32B27/06(2006.01)I;B32B27/08(2006.01)I;G01N21/64(2006.01)I;B05D5/06(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/12(2006.01)I;B41J2/01(2006.01)I
专利有效期	对爆炸物荧光检测的含双带隙光子晶体的荧光检测膜的制备方法至对爆炸物荧光检测的含双带隙光子晶体的荧光检测膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及对爆炸物荧光检测的含双带隙光子晶体的荧光检测膜的制备方法。本发明是将双带隙光子晶体引入到荧光检测膜中，其中检测爆炸物荧光的激发光的波长和所述荧光检测膜中荧光分子的发射波长的峰位与含双带隙光子晶体的荧光检测膜的双光子带隙的带边相重合。方法包括一步法和两步法，一步法是将荧光分子分散到含有两种不同粒径的单分散乳胶粒的乳液中，通过两次喷墨打印、喷涂或竖直沉积的方式成膜；两步法是先制备双带隙光子晶体膜(含有蛋白石或反蛋白石结构)，采用物理气相沉积法或旋涂的方法将荧光分子分散到双带隙光子晶体膜表面。本发明利用双带隙光子晶体对特定波长光的调控作用，实现荧光信号的增强，最终较大地提高检测灵敏度。