专利详情

专利名称	用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法
申请号	CN201110049791.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102142657A	公开（授权）日	2011.08.03
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	陈微;周文君;刘安金;付非亚;张建心;渠红伟;郑婉华
主分类号	H01S5/22(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/22(2006.01)I
专利有效期	用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法至用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	一种用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次生长下限制层、有源区和上限制层，形成横向波导结构；步骤3：采用感应耦合等离子体刻蚀的方法对上限制层进行刻蚀，在上限制层上形成周期性的条状结构，该条状结构的一部分为条状电流注入区，其余部分为光场调制区，结合这两个区便能实现侧向模式的调控；步骤4：在条状电流注入区的上面制作电极实现电流的选择性注入；步骤5：将衬底减薄，改善电流注入特性；步骤6：在衬底的背面制作背面电极，完成器件的制作。