一种半导体器件的制造方法
- 申请号：CN201010104991.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102142373A
- 公开(公开)日：2011.08.03
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010104991.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102142373A | 公开（授权）日 | 2011.08.03 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体器件的制造方法 至一种半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种半导体器件的制造方法，所述方法在栅极替代工艺(Replacementgate或Gate?last)制备CMOS晶体管过程中，在去除伪栅堆叠后，在去除伪栅堆叠形成的第一开口内形成L形侧墙以及其上的第二侧墙或L形侧墙，来重新定义替代栅的尺寸，起到调节替代栅堆叠与源/漏区域以及源/漏延伸区重叠电容的作用；而后通过在替代栅堆叠中的栅电极的侧壁形成替代侧墙，进一步减小侧墙与源/漏区域以及源/漏延伸区的重叠电容，进而减小器件整体的重叠电容，此外，以较易实现的工艺方法得到更小器件尺寸的器件。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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