专利详情

专利名称	改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法
申请号	CN200710044966.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101113533	公开（授权）日	2008.01.30
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	高相东;彭芳;李效民;于伟东
主分类号	C30B30/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B30/02(2006.01)I
专利有效期	改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法至改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法	法律状态	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
说明书摘要	本发明涉及一种改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向ZnO薄膜方法，其特征在于采用电化学预处理过程与恒电流沉积相结合的方法，在经预处理的衬底表面形成一晶柱尺寸小的ZnO籽晶层，使后续沉积ZnO薄膜具有单一c轴生长特性。具体包括电沉积前驱液的制备、衬底清洗处理以及薄膜生长三大步，最后薄膜生长采用电化学沉积系统。所制备的ZnO膜层具有单一c轴取向，结晶程度高，而且在可见光区具有很高的透过率，可用作薄膜太阳电池的窗口层、以及压电、光电、气敏等多种领域。本方法成本低廉，无需真空环境或使用有机物和高温加热设备，适合于大面积、规模化薄膜材料制备。