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专利名称	2-羟基-3,5-二烷基苯磺酸盐阴离子表面活性剂及其制备方法和用途
申请号	CN200610088891.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101113139	公开（授权）日	2008.01.30
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	俞稼镛;赵濉;黄玉萍;严峰;张路;安静仪
主分类号	C07C309/31(2006.01)I	IPC主分类号	C07C309/31(2006.01)I;C07C303/32(2006.01)I;B01F17/12(2006.01)I;C09K8/584(2006.01)I
专利有效期	2-羟基-3,5-二烷基苯磺酸盐阴离子表面活性剂及其制备方法和用途至2-羟基-3,5-二烷基苯磺酸盐阴离子表面活性剂及其制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于高效表面活性剂领域，具体地说涉及2-羟基-3，5-二烷基苯磺酸盐阴离子表面活性剂及其制备方法和用途。该阴离子表面活性剂的亲水基磺酸基的邻位有一羟基，羟基的邻位和对位均有一碳原子数为4～20的烷基链作为疏水基；表面活性剂的临界胶束浓度为10^-7～10^-5mol/L；在此浓度下的表面张力为30～25mN/m；当加入电解质后，表面张力升高，与模拟油的界面张力也升高，且电解质浓度越高，张力越大。此类表面活性剂疏水链较长时，具有低的起泡能力，表现在表面活性剂浓度为10^-8～10^-2mol/L之间几乎不起泡，体现出了异于常规的烷基苯磺酸盐阴离子表面活性剂的特性。本发明的表面活性剂的化学结构式为上图。