专利详情

专利名称	大面积平板常压射频冷等离子体系统
申请号	CN200920108533.6	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN201414256	公开（授权）日	2010.02.24
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王守国;张超前;赵玲利;杨景华
主分类号	H05H1/46(2006.01)I	IPC主分类号	H05H1/46(2006.01)I
专利有效期	大面积平板常压射频冷等离子体系统至大面积平板常压射频冷等离子体系统	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型公开了一种大面积平板常压射频冷等离子体系统，包括一外壳、射频电源、供气源、等离子体发生器、温度控制系统和支架；在一个外壳内，有两个表面彼此平行且相互绝缘的电极，一个与射频电源连接叫射频电极，另一个与地连接叫地电极；在该射频电极和该地电极之间形成等离子体的放电区间；在该放电区间的两侧和一端设有绝缘材料，该两侧的绝缘材料使两个电极位置相对固定并使电极两侧对外密封，在一端的绝缘材料上开设有通气孔，该通气孔通过进气导管与供气源连接；在该两个电极的另一端开设有长条形的开口，通过该开口可以输送基片进入等离子体的放电区间或从放电区间中取出基片；在地电极的底部设有一个加热器来调节地电极上的温度。