专利详情

专利名称	一种高密度大面积等离子体片产生装置
申请号	CN200820124516.7	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN201336769	公开（授权）日	2009.10.28
申请（专利权）人	中国科学院空间科学与应用研究中心	发明（设计）人	程芝峰;徐跃民;孙海龙;吴逢时;丁亮;王之江;孙简
主分类号	H05H1/40(2006.01)I	IPC主分类号	H05H1/40(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I
专利有效期	一种高密度大面积等离子体片产生装置至一种高密度大面积等离子体片产生装置	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型公开了一种高密度大面积等离子体片产生装置，包括：外壳(12)、外壳(12)内部为真空腔体、与外壳(12)同轴放置的亥姆霍兹线圈(11)、位于外壳(12)内的阴极(9)及位于外壳(12)内、与阴极(9)相对的阳极(10)；阴极 (9)采用沿轴向开口的空心金属管结构，其开口方向与阳极(10)相对，阴极(9) 与阳极(10)平行设置。本装置采用磁约束线形空心阴极放电方式产生高密度大面积的等离子体片，具有空心阴极增强等离子体密度的作用，使阴阳电极间形成均匀的、密度在10¹²cm^-3以上、几何尺寸在60cm×60cm以上、厚度维持在2cm左右的等离子体片(13)。大面积高密度的等离子体在材料表面处理，等离子体与电磁波相互作用的研究等方面有巨大优势。