专利详情

专利名称	双室磁控与离子束复合溅射沉积系统
申请号	CN200820219584.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN201292399	公开（授权）日	2009.08.19
申请（专利权）人	中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司	发明（设计）人	郭东民;佟辉;冯彬;刘大为;鲁向群;金振奎;刘丽华
主分类号	C23C14/22(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/22(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I
专利有效期	双室磁控与离子束复合溅射沉积系统至双室磁控与离子束复合溅射沉积系统	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型公开一种双室磁控与离子束复合溅射沉积系统，由磁控室、离子束室、磁控溅射靶、基片水冷加热公转台、Kaufman离子枪、四工位转靶、磁力送样机构、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。磁控室和离子束室均为立式圆筒型，电动上掀盖结构，两个真空室下面各安装一套抽气系统，通过磁力送样机构实现两个真空室基片的交接。该系统磁控溅射和离子束溅射可以在两个独立的真空室同时进行，并且可以互作基片预处理室，而且取放基片和更换磁控靶靶材的工作都可以在磁控室进行，这样离子束室可以长时间保持超高真空。