专利详情

专利名称	一种在（111）型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法
申请号	CN201310028123.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103086321A	公开（授权）日	2013.05.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李铁;俞骁;张啸;王跃林
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种在（111）型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法至一种在（111）型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种在（111）型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法，包括：于硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；将各该刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；各向异性湿法腐蚀，使两两相邻的3个腐蚀槽的交界处形成由上锥部、下锥部及连接部组成的沙漏结构；采用自限制氧化工艺，形成氧化硅及藉由硅纳米线结构连接的上硅锥体结构及下硅锥体结构；去除氧化硅及上硅锥体结构，形成单晶硅纳米长针尖。本发明可用于制作纳米探针阵列，只需要常规的MEMS工艺，通过ICP干法刻蚀、各向异性湿法腐蚀和氧化工艺即可制作出针尖直径在10~100nm，长度在0.1~100μm，集成度高，可规模化生产的纳米探针，其成本低廉，制作方便，可应用于纳米探针领域。