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一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置

  • 申请号:CN201310003089.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN103079327A
  • 公开(公开)日:2013.05.01
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置
申请号 CN201310003089.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103079327A 公开(授权)日 2013.05.01
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 宗明成;黄有为;陈浩;李世光;盖洪峰
主分类号 H05G2/00(2006.01)I IPC主分类号 H05G2/00(2006.01)I
专利有效期 一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置 至一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置 法律状态 授权
说明书摘要 本发明公开了一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置,其中,所述极紫外光发生装置包括:真空腔,靶源发生器,靶源预整形增强器,高能发生器,能量注入器,极紫外光收集器,残余靶材收集器,其中,所述靶源预整形增强器包括:靶源运动轨迹控制器,靶源整形器,靶源探测器,极紫外光和/或等离子体探测器,同步控制器,其中同步控制器根据所述靶源探测器及极紫外光和/或等离子体探测器的监测数据,控制所述靶源发生器、靶源运动轨迹控制器、靶源整形器、高能发生器及能量注入器,以达到优化极紫外光输出能量的目的。本发明公开的极紫外光发生装置能够解决现有极紫外光发生装置能量转换效率低的问题,可有效增大装置的极紫外光输出能量。

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