专利详情

专利名称	基于硅-分子复合体系单分子负微分电阻器件及制备方法
申请号	CN201310020439.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103094478A	公开（授权）日	2013.05.08
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	张汇;王炜华;纪永飞;王兵;侯建国
主分类号	H01L47/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L47/00(2006.01)I
专利有效期	基于硅-分子复合体系单分子负微分电阻器件及制备方法至基于硅-分子复合体系单分子负微分电阻器件及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于硅-分子复合体系的单分子负微分电阻效应器件，是一种利用钴酞菁分子中的二价钴离子dz2轨道的态密度和R3-银/硅表面的S1表面态之间的共振所制备出来的一种单分子器件，其包括：源极、漏极、栅极、钴酞菁分子和隧穿层，其中：单个钴酞菁分子位于所述源极和所述漏极之间，所述钴酞菁分子的平面与所述源极和所述漏极之间的连线垂直，所述钴酞菁分子中的钴离子与所述源极接触；所述漏极与所述钴酞菁分子之间设有隧穿层。本发明同时还提供一种制备上述单分子负微分电阻效应器件的方法。该分子器件的负微分电阻效应很稳定，与衬底的掺杂种类和掺杂浓度无关，且该分子器件体积小，性能高，可以广泛应用在今后基于纳米材料的电子线路中。