专利详情

专利名称	双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法
申请号	CN201310028764.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103091778A	公开（授权）日	2013.05.08
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	姚丹阳;张锦川;闫方亮;刘俊岐;王利军;刘峰奇;王占国
主分类号	G02B6/13(2006.01)I	IPC主分类号	G02B6/13(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I
专利有效期	双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法至双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶；步骤7：以光刻胶光栅图形为掩膜腐蚀外延芯片，将光栅图形转移至光限制层上；步骤8：利用有机溶剂清洗掉光刻胶光栅图形，制备出双周期光栅，完成制备。