专利详情

专利名称	半导体结构和形成该半导体结构的方法
申请号	CN201110314174.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103050513A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	梁擎擎;钟汇才;朱慧珑
主分类号	H01L29/41(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/41(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I
专利有效期	半导体结构和形成该半导体结构的方法至半导体结构和形成该半导体结构的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体结构，包括：衬底，位于所述衬底上的导体层和围绕所述导体层的电介质层；覆盖所述导体层和所述电介质层的绝缘层；形成在所述绝缘层上的栅极导体层，以及围绕所述栅极导体层的电介质层；覆盖所述栅极导体层和所述围绕栅极导体层的电介质层的绝缘层；填充有半导体材料的通道垂直穿过所述栅极导体层且该通道的底部停止在所述导体层上，在所述通道的顶部设置有用作漏/源极的导体插塞；用作源/漏极的导体插塞与所述导体层电接触，用作栅极的导体插塞与所述栅极导体层电接触。