专利详情

专利名称	晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置
申请号	CN200820055759.X	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN201165564	公开（授权）日	2008.12.17
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	楼祺洪;袁志军;周军;董景星;魏运荣;赵宏明
主分类号	C30B29/06(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/06(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I
专利有效期	晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置至晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置	法律状态	授权
说明书摘要	一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置，其特点是由激光源、分光器、光束整形系统、多晶硅薄膜基片、光学聚焦系统、受激拉曼光谱接收系统、拉曼数据分析并反馈系统和移动工作台组成，本实用新型可以为多晶硅薄膜的制备的同时进行在线检测，为多晶硅薄膜的制备提供最佳的能量密度，所述的检测为非破坏性测试，具有测试成本低、检测快捷等优点；更重要的是，本装置可以精确地检测多晶硅薄膜的粒度，提高优良率并增加产能。适用于产业化多晶硅薄膜的制备和实时检测，可精确检测晶粒大小并对激光能量密度实时监控。