专利详情

专利名称	陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件
申请号	CN200820028674.2	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN201174556	公开（授权）日	2008.12.31
申请（专利权）人	中国科学院近代物理研究所	发明（设计）人	张小奇;张军辉;马力祯;韩少斐
主分类号	H02G3/22(2006.01)I	IPC主分类号	H02G3/22(2006.01)I
专利有效期	陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件至陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型主要涉及电真空领域，在真空情况下的电功率馈人器件。所述的陶瓷- 金属封接的高压真空穿墙件，包括有内导体(7)，其两端为电缆接线端，外部设有内陶瓷绝缘套(6)，其主要特点在于：在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4) 和外导体小环(5)，在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘环(3)，真空法兰(1)设于接地导体(2)的外环，并与之相连接。本实用新型的有益效果是：其耐压性能增强，整个陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件的真空漏率好于1×10^-10Pa·l/s；电感值实测为0.08μH；大截面的导体结构可以承载数千安培的电流。