专利详情

专利名称	提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法
申请号	CN201110005057.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102592988A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	杨涛;刘金彪;赵超
主分类号	H01L21/3105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/3115(2006.01)I
专利有效期	提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法至提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性方法，在针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺之前，对氧化硅层的凸出部分进行倾角离子注入，利用离子注入的能量效应对氧化硅成键状态进行破坏，因此在随后针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺中，研磨液对凸出部分的化学腐蚀作用得到增强，提高了凸出部分材料的移除速率，从而在研磨过程中，氧化硅层中存在的高度落差不会传递下去，避免了氧化硅凹陷的产生，得到了平坦的氧化硅表面，消除了随后存在金属残留的可能，从而提高器件电学性能和成品率。