半导体器件及其制作方法
- 申请号：CN201110005924.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102592966A
- 公开(公开)日：2012.07.18
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 申请号 | CN201110005924.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102592966A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 |
| 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制作方法 至半导体器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体层；在第一半导体层中形成沟槽，该沟槽的侧壁的至少底部一部分向沟槽外侧倾斜；在沟槽中填充电介质材料；减薄第一半导体层，使得第一半导体层相对于电介质材料凹入；以及在第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中第一半导体层的材料与第二半导体层的材料不同。根据本发明，可以有效地抑制异质外延生长过程中形成的缺陷。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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