一种紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的生长方法
- 申请号：CN200910111251.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号：CN101831706A
- 公开(公开)日：2010.09.15
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的生长方法 | ||
| 申请号 | CN200910111251.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101831706A | 公开（授权）日 | 2010.09.15 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 叶宁;陈啸 |
| 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的生长方法 至一种紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及YAl3(BO3)4非线性光学晶体的生长方法。该方法使用了新的助熔剂Li2CO3-Al2O3-B2O3体系和Li2CO3-Al2O3-B2O3-LiF体系，可以较大幅度地降低晶体的生长温度，避免了助熔剂引入的过渡金属杂质引起的晶体紫外透过率下降，可以稳定地生长出尺寸为厘米级、质量较好的YAl3(BO3)4晶体；此外，该工艺生长晶体的速度较快，成本低廉，对设备要求低，操作简单。 | ||
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