半导体晶片的制造方法
- 申请号：CN201010591794.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102543671A
- 公开(公开)日：2012.07.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体晶片的制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010591794.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102543671A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;赵超 |
| 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体晶片的制造方法 至半导体晶片的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体晶片的制造方法，包括：加热，使金属材料溶解到晶片中的半导体材料中，从而产生半导体-金属化合物；以及冷却，使所产生的半导体-金属化合物逆熔化，而形成金属半导体混合物。根据本发明的实施例，利于得到适用于半导体制造工艺的高纯度晶片。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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4、专员跟进，交易保障
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