冗余金属填充方法及其系统
- 申请号：CN201210008543.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102542119A
- 公开(公开)日：2012.07.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 冗余金属填充方法及其系统 | ||
| 申请号 | CN201210008543.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102542119A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 方晶晶;陈岚;叶甜春 |
| 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 专利有效期 | 冗余金属填充方法及其系统 至冗余金属填充方法及其系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供的冗余金属填充方法包括将版图划分为若干不重叠的窗格；根据基于规则的填充方法粗调所述窗格内的金属密度；根据基于模型的填充方法对所述窗格内的金属密度进行细调修正。本发明还提供一种冗余金属填充系统包括窗格划分模块、第一填充模块、第二填充模块。本发明提供的一种冗余金属填充方法及其系统，将金属密度分级别进行填充，将金属密度范围分级，在不同的级别内选择用不同金属密度的填充模板进行填充，既能够保证冗余填充的精确度又能保证数据计算量不大。 | ||
交易流程
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专利 -
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