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基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源

  • 申请号:CN200720071435.0
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
  • 公开(公开)号:CN201054460
  • 公开(公开)日:2008.04.30
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源
申请号 CN200720071435.0 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN201054460 公开(授权)日 2008.04.30
申请(专利权)人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明(设计)人 周军;蔡虹;董景星;张芳沛;楼祺洪;魏运荣
主分类号 H01S3/067(2006.01)I IPC主分类号 H01S3/067(2006.01)I;H01S3/08(2006.01)I;H01S3/0941(2006.01)I;H01S3/108(2006.01)I;H01S3/00(2006.01)I
专利有效期 基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源 至基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源 法律状态 授权
说明书摘要 一种基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源,其构成包 括:高功率半导体激光器和自该高功率半导体激光器的输出端依次设置 的传能光纤、第一光纤光栅、第二光纤光栅、铒镱共掺双包层光纤、准 直透镜、聚焦透镜、非线性晶体和准直输出透镜。所述的铒镱共掺双包 层光纤熔接有对1.06μm附近波长λ1和对1.56μm附近波长λ2具有高反 射率的第一光纤光栅、第二光纤光栅与铒镱共掺双包层光纤的另一端的 端面构成谐振腔,从而实现波长为λ1和λ2的高功率激光输出并通过消 色差透镜聚焦于非线性晶体,在非线性晶体内进行差频,经准直输出透 镜输出中红外光高功率激光。本实用新型具有激光转换效率高、结构简 单、体积小、重量轻、系统稳定性高等优点。

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