专利详情

专利名称	一种基于SOI和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法
申请号	CN201210027790.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102560565A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	潘丽;岳衢;胡承刚;张铁军;李飞;罗先刚;邱传凯;周崇喜
主分类号	C25D1/04(2006.01)I	IPC主分类号	C25D1/04(2006.01)I;C25D1/10(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B30/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种基于SOI和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法至一种基于SOI和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充，其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在SOI下底面氮化硅膜层上制作一个开口，露出体硅表面；采用氢氧化钾湿法腐蚀，以氮化硅为掩蔽层将露出的体硅表面腐蚀完毕，露出二氧化硅表面；在SOI的上表面涂覆光刻胶，通过光刻和刻蚀制作纳米通孔；将具有纳米通孔的SOI器件电铸，获得掺杂硅包裹的金属线条；采用干法刻蚀将氮化硅去除，并用氢氟酸溶液去除二氧化硅，完成金属纳米线阵的制备。本发明不易损伤，且采用SOI片进行制作，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点。