悬空鳍片的制备方法
- 申请号：CN201010578567.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102543668A
- 公开(公开)日：2012.07.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 悬空鳍片的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201010578567.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102543668A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 周华杰;宋毅;徐秋霞 |
| 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 悬空鳍片的制备方法 至悬空鳍片的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种悬空鳍片的制造方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层及半导体衬底以嵌入所述半导体衬底形成至少两个凹槽，所述凹槽之间形成鳍片；在所述鳍片的侧壁形成侧墙；刻蚀所述凹槽及鳍片底部的半导体衬底形成悬空鳍片；在所述鳍片和凹槽的下方形成隔离介质层。该方法采用传统的基于准平面的自顶向下工艺，与CMOS平面工艺具有良好的兼容性，并且易于集成。 | ||
交易流程
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可交易 - 03 签订合同
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