专利详情

专利名称	开口的填充方法
申请号	CN201010590432.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102543835A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵超;王文武;钟汇才
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I
专利有效期	开口的填充方法至开口的填充方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种开口的填充方法，包括：提供半导体衬底，至少具有底层金属连线层和底层金属连线层上方隔离介质层，隔离介质层中具有开口；在开口内和开口外的隔离介质层表面依次形成扩散阻挡层和籽晶层；在开口外的籽晶层表面形成掩膜层；在具有掩膜层的半导体衬底上覆盖金属层，金属层将开口填充。在开口内和开口外的隔离介质层表面依次形成扩散阻挡层和籽晶层，而开口外的籽晶层表面形成有掩膜层，在掩膜层的阻挡作用下，后续在半导体衬底上沉积金属层的过程中，金属层并不是在开口内外的表面上同时沉积，而是先将开口内部填充，然后才沉积在开口外表面，从而能够避免缩颈现象的出现，减小或消除了空洞缺陷产生的概率，提高电路的可靠性。