光阳极薄膜材料的制备方法
- 申请号:CN201210033929.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
- 公开(公开)号:CN102543475A
- 公开(公开)日:2012.07.04
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 光阳极薄膜材料的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201210033929.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN102543475A | 公开(授权)日 | 2012.07.04 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明(设计)人 | 刘国冬;叶长辉;季书林;徐国平 |
| 主分类号 | H01G9/042(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G9/042(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 光阳极薄膜材料的制备方法 至光阳极薄膜材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种光阳极薄膜材料的制备方法,属太阳能电池用材料制备领域。该薄膜材料包括:在氧化铟锡导电玻璃上涂覆第一层TiO2颗粒,退火处理;退火后,在第一层TiO2颗粒上涂覆第二层TiO2颗粒,加热得到TiO2颗粒膜;将得到的TiO2颗粒膜浸入NH4F水溶液中,取出后在蒸馏水中清洗,干燥后得到具有FTO/TiO2/TiO2/F结构的薄膜;在形成的FTO/TiO2/TiO2/F-薄膜上沉积In2S3,加热后得到结晶性In2S3形成FTO/TiO2/TiO2/F-/In2S3薄膜;将处理后得到的FTO/TiO2/TiO2/F-/In2S3薄膜浸入ZnCl2的乙醇溶液中,浸泡后取出,在乙醇中清洗,干燥得到具有FTO/TiO2/TiO2/F-/In2S3/ZnS结构的光阳极薄膜材料。制成的薄膜材料采用结晶性In2S3作为吸光层,可吸收更多的太阳光,提高载流子的分离效率,延长载流子的寿命。 | ||
交易流程
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