专利详情

专利名称	自对准金属硅化物的形成方法
申请号	CN201010599252.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569048A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	罗军;赵超;钟汇才
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	自对准金属硅化物的形成方法至自对准金属硅化物的形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅堆叠结构，所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中形成有源区和漏区；在所述半导体衬底上、所述栅堆叠结构的侧壁形成牺牲侧墙；形成金属层，覆盖所述半导体衬底、栅堆叠结构和牺牲侧墙的表面；对所述半导体衬底进行热处理，使所述金属层与所述源区、漏区的半导体衬底以及牺牲侧墙之间发生反应；去除所述牺牲侧墙和未反应的金属层。本发明能够减弱或避免自对准金属硅化物的横向扩散问题，有利于提高器件的性能和可靠性。