专利详情

专利名称	采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法
申请号	CN201210032754.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102570309A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;潘教青;王圩
主分类号	H01S5/343(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法至采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法，包括：采用低压MOCVD方法在硅衬底上依次生长第一缓冲层、第二缓冲层、下包层、第一下限制层和第一二氧化硅层；干法刻蚀和湿法刻蚀结合的方法将第一二氧化硅层刻蚀出沟槽；在沟槽中依次生长第二下限制层、下波导层、多量子阱有源区和上波导层；在上波导层和第一二氧化硅层上生长结合层、上限制层、第一上包层和光栅层；将光栅层刻成光栅；在刻成光栅后的光栅层上二次外延第二上包层和接触层；在第二上包层和接触层上刻出脊条；在刻出脊条的第二上包层和接触层及脊条的两侧生长第二二氧化硅层，并在接触层上开电极窗口，溅射钛铂金电极；将硅衬底背面减薄，蒸发金锗镍电极，退火，完成器件的制备。