专利详情

专利名称	SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法
申请号	CN201010601185.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569062A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	殷华湘;徐秋霞;贺晓斌;陈大鹏
主分类号	H01L21/316(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/316(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法至SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法，其中将包含SOG层或光抗蚀剂层的晶片放置在反应室中，向反应室中流入刻蚀气体，并且向晶片施加RF功率以产生等离子体，等离子体中的高能离子侵蚀SOG层或光抗蚀剂材料并与之反应，以平整SOG层或光抗蚀剂层的表面，其中，控制反应室气压，使得对SOG层或光抗蚀剂层中央的刻蚀速率大于对晶片边缘位置的刻蚀速率，以获得SOG层或光抗蚀剂层的凹形刻蚀剖面形状。本发明可用于在集成电路中提供近全局平坦化的隔离结构。