专利详情

专利名称	一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法
申请号	CN201010575278.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102565650A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	蒲颜;庞磊;陈晓娟;欧阳思华;李艳奎;刘新宇
主分类号	G01R31/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2006.01)I;G01R27/08(2006.01)I
专利有效期	一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法至一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种Ga?NHEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法，属于集成电路技术领域。所述测量系统包括第一直流电源、第二直流电源、交流信号提供装置、电容、电感、电阻、第一电压表和第二电压表；漏极和电阻相连，电阻和第一直流电源相连，第一电压表和电阻相并联；栅极和第二电压表相并联，电容连接在栅极和交流信号提供装置之间，电感连接在栅极和第二直流电源之间。通过本发明测量系统测得的频散特性可以推断器件表面态和陷阱的多少，进而判断材料和器件的优劣；同时包含频散特性的跨导曲线可以准确表征器件的直流特性，与模型中频率散射参数的提取相关，对器件模型的建立也很有意义。