用于超浅结注入的离子源装置
- 申请号：CN201110004958.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102592934A
- 公开(公开)日：2012.07.18
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 用于超浅结注入的离子源装置 | ||
| 申请号 | CN201110004958.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102592934A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘金彪;张琦辉;宋希明;张浩;李琳;刘强;丁明正;李俊峰;赵超 |
| 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/317(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
| 专利有效期 | 用于超浅结注入的离子源装置 至用于超浅结注入的离子源装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于超浅结注入的离子源装置，包括：起弧室；对靶溅射装置，位于所述起弧室下方；其特征在于，所述对靶溅射装置包括冷却装置，对靶材进行冷却。本发明在离子源中引入了小型对靶溅射装置，并辅以强冷却系统，为起弧室提供了足够的分子电离，有效地提高了注入的效率和可靠性。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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