层间电介质的近界面平坦化回刻方法
- 申请号：CN201110003118.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102592989A
- 公开(公开)日：2012.07.18
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 层间电介质的近界面平坦化回刻方法 | ||
| 申请号 | CN201110003118.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102592989A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孟令款;殷华湘 |
| 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
| 专利有效期 | 层间电介质的近界面平坦化回刻方法 至层间电介质的近界面平坦化回刻方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种层间电介质层(ILD)的近界面平坦化回刻方法，包括：在晶圆表面通过化学气相沉积或者氧化方法沉积或生长一层厚的SiO2；旋涂一层SOG，然后热处理获得较为均匀的叠层结构；利用等离子体刻蚀进行SOG回刻，接近SiO2近界面时停止；等离子回刻余下的近界面SOG/SiO2结构直到所需厚度。由于采用了近界面两步刻蚀，得到了极佳的ILD平整表面，不仅在晶片中心区而且乃至在边缘处也仍然能得到平坦整齐的ILD表面。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言