专利详情

专利名称	器件性能预测方法及器件结构优化方法
申请号	CN201110005923.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102591999A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	梁擎擎;朱慧珑;钟汇才;李萌
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	器件性能预测方法及器件结构优化方法至器件性能预测方法及器件结构优化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种器件性能预测方法及器件结构优化方法。根据本发明的实施例，半导体器件的结构参数和/或工艺参数集构成参数空间中的参数点，并且针对参数空间中多个离散的预定参数点建立了行为模型库，行为模型库将预定参数点与相应的器件性能指标值相关联。该器件性能预测方法包括：输入待预测其相应性能指标值的参数点，即预测点；以及如果在行为模型库中存在预测点的对应项，则输出相应性能指标值作为该预测点的预测性能指标值；以及如果行为模型库中不存在预测点的对应项，则通过根据Delaunay三角剖分进行插值计算，来得到预测点的预测性能指标值。