专利详情

专利名称	一种金属酞菁纳米线的制备方法
申请号	CN201110072548.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102206863A	公开（授权）日	2011.10.05
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	刘颖丹;潘革波
主分类号	C30B29/54(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/54(2006.01)I
专利有效期	一种金属酞菁纳米线的制备方法至一种金属酞菁纳米线的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种生长单分散、平贴衬底的金属酞菁纳米线的制备方法，其特征在于包括步骤：I、以金属酞菁和三氧化二铝按质量比1∶100研磨混合作为原料，将所述原料取料与衬底一并置入容器中以备加热生长；II、在容器中充填惰性保护气体氮气或氩气并保持腔内压强6×10-2Pa，对所述容器实施加热，使得原料在450℃-500℃下恒温生长20min-60min后随容器冷却至常温，在硅衬底上生长形成单分散的平贴衬底的金属酞菁纳米线。应用本发明方法制备单分散平贴衬底的金属酞菁纳米线，工艺简单易行、成本低，酞菁纳米线与硅衬底接触良好，为进一步研究单晶金属酞菁纳米线的场效应特性提供可能。