专利详情

专利名称	制造硅通孔的方法
申请号	CN201110343866.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102364671A	公开（授权）日	2012.02.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	宋崇申
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	制造硅通孔的方法至制造硅通孔的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种制造硅通孔的方法。该方法包括：在芯片中至少一层互连层中预定义掩模孔；以第一掩模版为掩模，刻蚀互连层上方的芯片表面介质层，该第一掩模版包括：在水平面的投影上包覆掩模孔的预设图形；以预定义掩模孔的互连层为掩模，刻蚀掩模孔位置下方的芯片表面介质层和衬底，获得阶梯形孔；在阶梯形孔中沉积绝缘层，该绝缘层覆盖阶梯形孔的开口表面及侧壁；刻蚀阶梯形孔开口表面位置上方的绝缘层；在阶梯形孔中进行导电材料填充。本发明提供的制造硅通孔方法仅需一张掩模版即可实现穿透硅通孔制造并实现其与芯片上已有互连层的电连接，工艺简单，成本低，而且能够实现较高的穿透硅通孔密度。