专利详情

专利名称	一种低维导电材料的弯曲疲劳可靠性测试系统及测试方法
申请号	CN201110302754.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102364325A	公开（授权）日	2012.02.29
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	张广平;徐进;张滨;宋竹满
主分类号	G01N3/60(2006.01)I	IPC主分类号	G01N3/60(2006.01)I;G01N3/20(2006.01)I
专利有效期	一种低维导电材料的弯曲疲劳可靠性测试系统及测试方法至一种低维导电材料的弯曲疲劳可靠性测试系统及测试方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及对低维导电材料的疲劳性能测试系统和测试方法的建立，具体为一种低维导电材料的弯曲疲劳可靠性的测试系统和测试方法，解决现有技术中存在的对导电薄膜材料疲劳寿命测量误差大、无法准确测量裂纹的萌生寿命等问题。该测试系统由电磁驱动部分、疲劳加载与测量部分以及检测与记录部分组成，该系统提供了对各种材料进行动态弯曲疲劳性能测试的功能和测试方法，同时可以对被测试样电阻变化进行实时监测与分析记录。通过记录下的电阻可以准确的得到被测导电试样疲劳寿命、裂纹萌生与扩展寿命等信息。该系统可以同时对多个被测导电试样进行疲劳性能实验，并可同时对每个被测导电试样的电阻值进行实时记录与分析，实验操作简单快捷。