专利详情

专利名称	一种冗余哑金属的填充方法及填充系统
申请号	CN201110344322.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102364482A	公开（授权）日	2012.02.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	吴玉平;陈岚;叶甜春
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	一种冗余哑金属的填充方法及填充系统至一种冗余哑金属的填充方法及填充系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种冗余哑金属的填充方法，包括：根据物理版图对应的电路网表的瞬态分析结果，计算多个线网的延时极限及其等效电学信息，其中所述电路网表包含寄生元器件；根据每个所述线网的延时极限及其等效电学信息，计算该线网可以承载的因冗余哑金属填充而给该线网引入的极限寄生电容，即该线网可以承载的额外极限寄生电容；以每个所述线网可以承载的额外极限寄生电容为上限作为约束条件优化填充冗余哑金属。从而实现了有针对性的设定各线网因哑金属填充而引入的寄生电容极限值，提高了电路中各部分金属互连线的平整度，而且保证了各线网的额外极限寄生电容对电路各部分性能的影响均在可接受的范围内，提高了集成电路设计的可制造性。