专利详情

专利名称	具有应力结构的场效应晶体管器件
申请号	CN201120034184.5	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202003995U	公开（授权）日	2011.10.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;骆志炯;尹海洲
主分类号	H01L27/092(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	具有应力结构的场效应晶体管器件至具有应力结构的场效应晶体管器件	法律状态
说明书摘要	本实用新型的具有应力结构的场效应晶体管器件包括：具有NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底；在半导体衬底中形成的属于NMOS区域及PMOS区域的源极区和漏极区；在半导体衬底中的位于NMOS区域的源极区和漏极区之间的第一沟道区，以及PMOS区域的源极区和漏极区之间的第二沟道区；NMOS区域的第一沟道区上方的第一栅堆叠和位于PMOS区域的第二沟道区上方的第二栅堆叠。第一栅堆叠包括第一栅介质层和其上的第一导电栅极层。第二栅堆叠包括第二栅介质层和其上的第二导电栅极层。该器件还包括在第一栅堆叠侧壁的具有拉应力性质的第三应力结构，在第二栅堆叠的侧壁的具有压应力性质的第四应力结构。该场效应晶体管器件能够提高NMOS器件的拉应力和PMOS器件的压应力，从而提高器件性能。