专利详情

专利名称	一种磁饱和式单相可控电抗器
申请号	CN201110044168.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102208245A	公开（授权）日	2011.10.05
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	张国强;李康
主分类号	H01F21/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01F21/08(2006.01)I;H01F27/28(2006.01)I;H01F27/30(2006.01)I;H01F27/24(2006.01)I
专利有效期	一种磁饱和式单相可控电抗器至一种磁饱和式单相可控电抗器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种磁饱和式单相可控电抗器，包括由主铁心柱(1)、两个旁柱(3、4)、两个旁轭(10、11)构成的铁心，两个工作绕组(2、7)，控制绕组(5、6)。主铁心柱(1)为单柱、等截面，由带间隙的多个铁心饼叠积而成。两个工作绕组(2、7)套在主铁心柱(1)上。控制绕组(5、6)套在两个旁柱(3、4)上或两个旁轭(10、11)上；两个旁柱(3、4)为等截面铁心，尺寸相同，两个旁柱(3、4)的截面积均为主铁心柱(1)截面积的二分之一；两个旁轭(10、11)为等截面铁心，且尺寸相同，两个旁轭(10、11)的截面积均为主铁心柱(1)截面积的二分之一。两个工作绕组成梯形相对布置，两个工作绕组(2、7)的梯形上底一端连接在一起作为高压首端，两个工作绕组(2、7)的梯形下底一端连接在一起构成高压末端。