专利详情

专利名称	基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管
申请号	CN201110083011.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102201442A	公开（授权）日	2011.09.28
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	蔡勇;刘胜厚;张宝顺
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I
专利有效期	基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管至基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管，其包括异质结，所述异质结包括由上到下层叠设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层界面处形成有二维电子气，所述第一半导体层上设置有源极、漏极和栅极，所述栅极设置于源极和漏极之间，所述栅极下方的异质结内形成有一条以上沟道，且所述沟道两端分别指向源极和漏极。本发明采用基于沟道阵列的结构设计，并通过将栅金属覆盖在沟道的顶部和两边的侧壁形成环栅结构，从而增强了对沟道的调制能力。本发明适用于一切基于异质结界面处二维电子气工作的半导体电子器件，并可同时满足实际应用的各种要求。