专利详情

专利名称	InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法
申请号	CN201110101381.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102201516A	公开（授权）日	2011.09.28
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	程国胜;刘海滨
主分类号	H01L33/32(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法至InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法。该LED包括依次生长在衬底上的低温GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型AlGaN层和p型GaN层，所述有源区是由垂直于衬底的InGaN纳米柱阵列组成的。其制备方法包含如下步骤：将衬底放入材料生长设备中，通入Ga源和N源生长GaN低温缓冲层；升高温度，通入n型掺杂源在GaN低温缓冲层上生长n型GaN薄膜；降低温度，在n型GaN薄膜上生长垂直InGaN纳米柱阵列；升高温度，通入p型掺杂源在InGaN纳米柱阵列上生长p型掺杂AlGaN层；在p型掺杂AlGaN层上生长p型GaN层。本发明可以减弱极化场对LED发光效率的不良影响，提高出光效率，并增大有源区的体积。