专利详情

专利名称	FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器
申请号	CN201110093303.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102201648A	公开（授权）日	2011.09.28
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	郑婉华;周文君;陈微;刘安金;王海玲
主分类号	H01S5/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/18(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I
专利有效期	FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器至FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了本发明公开了一种FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器，该激光器具有深刻蚀孔的光子晶体结构，该光子晶体结构具有带边面发射性质，且位于FP脊形条上，FP脊形条宽度较宽，FP腔长度较长，P电极完全位于脊形条上，根据光子晶体的对称性，可以扩展FP腔的结构。利用本发明，能够实现低成本的电注入光子晶体带边面发射激光器，且本结构可以用于集成光路中特征信号的读出器，通过对FP腔结构的扩展，可以实现多通道耦合增强。