专利详情

专利名称	一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法
申请号	CN201110124793.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102201405A	公开（授权）日	2011.09.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	程新红;夏超;王中健;俞跃辉;何大伟;徐大伟
主分类号	H01L27/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法至一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于图形化的SOIESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：底层衬底；位于所述底层衬底上的绝缘埋层；位于所述绝缘埋层上的有源区；以及穿过所述绝缘埋层连接所述有源区与底层衬底的导通栓；其中，所述有源区包括P阱区和N阱区，所述P阱区和N阱区之间形成横向的PN结；所述导通栓位于所述PN结下方；在所述PN结之上设有场氧区；在所述P阱区之上设有阴极接触端；在所述N阱区之上设有阳极接触端。本器件在埋氧层上开了一个窗口，此窗口一方面可以很好的释放ESD大电流产生的热量，另一方面可以很好的改善器件的抗ESD能力。能够在HBM（人体模型）中实现抗ESD电压达到2kV以上，达到了目前人体模型的工业标准。