专利详情

专利名称	一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法
申请号	CN201110124788.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102201404A	公开（授权）日	2011.09.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	程新红;夏超;王中健;俞跃辉;何大伟;徐大伟
主分类号	H01L27/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法至一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：SOI衬底，位于SOI衬底上的N阱区和P阱区，位于所述N阱区之上的阳极接触端以及位于所述P阱区之上的阴极接触端，其中，所述N阱区和P阱区之间形成横向的PN结，在所述PN结之上设有场氧区。本器件可以在ESD来临时，及时的泄放ESD电流，避免栅氧击穿或者大电流流入电路内部，造成电路损伤。可以通过调节器件参数来调整器件的触发电压和维持电压，使其可以用于不同内部电压的电路保护，避免功率局部集中。能够在HBM（人体模型）中实现抗ESD电压达到2kV以上，达到了目前人体模型的工业标准。