专利详情

专利名称	金属互连结构及金属层间通孔和互连金属线的形成方法
申请号	CN201010501703.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102446811A	公开（授权）日	2012.05.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵超
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I
专利有效期	金属互连结构及金属层间通孔和互连金属线的形成方法至金属互连结构及金属层间通孔和互连金属线的形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种金属层间通孔的形成方法，包括：在第一介质层和第一金属层上形成种晶层，所述第一金属层嵌于所述第一介质层中；在所述种晶层上形成掩膜图形，所述掩膜图形暴露部分所述种晶层，暴露的所述种晶层覆盖部分所述第一金属层；在暴露的所述种晶层上生长第二金属层；去除所述掩膜图形和承载所述掩膜图形的所述种晶层，以暴露所述第二金属层的侧壁、部分所述第一金属层和所述第一介质层；在所述侧壁、部分所述第一金属层和所述第一介质层上形成阻挡层。以及，一种互连金属线的形成方法，均可减少孔洞的产生。一种金属互连结构，所述金属互连结构包括接触塞、通孔和互连金属线，所述通孔形成于所述互连金属线、所述金属栅极和/或所述接触塞上。