专利详情

专利名称	一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法
申请号	CN201110347831.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102443231A	公开（授权）日	2012.05.09
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	薛立新;刘富;王益;朱琦良
主分类号	C08L27/08(2006.01)I	IPC主分类号	C08L27/08(2006.01)I;C08K13/02(2006.01)I;C08K5/12(2006.01)I;C08K5/523(2006.01)I;C08K5/103(2006.01)I;C08K5/521(2006.01)I;C08K5/10(2006.01)I;C08K5/11(2006.01)I;B29C49/04(2006.01)I;B29C47/92(2006.01)I;B29C55/12(2006.01)I;B29B7/80(2006.01)I;B29L7/00(2006.01)N
专利有效期	一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法至一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法。本发明方法通过在PVDC的共聚物中加入一定比例的助剂，同时加入少量热稳定剂、润滑剂和无机氧化物，即首先进行助剂的复配，然后将助剂和PVDC树脂按照一定的比例、顺序进行共混，最后通过单螺杆挤出机经过吹塑工艺，吹制成膜。本发明方法采用新型的增塑剂及优化配比，可以降低总的助剂添加量，由此制备的PVDC薄膜，膜面平整光滑，可消除尺寸大于40微米的晶点，所得薄膜具有较高的机械强度，以及较高的水蒸气和氧气阻隔性，适用于食品包装或者药品包装领域。