专利详情

专利名称	高迁移率Ⅲ-Ⅴ族半导体MOS界面结构
申请号	CN201010118896.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102194859A	公开（授权）日	2011.09.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘洪刚;常虎东;刘新宇;吴德馨
主分类号	H01L29/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I
专利有效期	高迁移率Ⅲ-Ⅴ族半导体MOS界面结构至高迁移率Ⅲ-Ⅴ族半导体MOS界面结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高迁移率III-V族半导体MOS界面结构，该结构自下而上依次包括：一单晶衬底(101)；一在该单晶衬底(101)上表面形成的缓冲层(102)；一在该缓冲层(102)上形成的量子阱底部势垒层(103)；一在该量子阱底部势垒层(103)上形成的高迁移率量子阱沟道(104)；一在该高迁移率量子阱沟道(104)上形成的量子阱顶部势垒层(105)；一在该量子阱顶部势垒层(105)上形成的界面控制层(106)；一在该界面控制层(106)上形成的高K栅介质(107)；以及一在该高K栅介质(107)上形成的金属栅结构(108)。本发明同时实现高载流子迁移率与低界面态密度，满足高性能III-V族半导体CMOS技术的要求。