专利详情

专利名称	铜铟镓硒薄膜电池的制备方法
申请号	CN201010278999.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101980377A	公开（授权）日	2011.02.23
申请（专利权）人	中国科学院深圳先进技术研究院	发明（设计）人	马续航
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	铜铟镓硒薄膜电池的制备方法至铜铟镓硒薄膜电池的制备方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	一种铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，包括如下步骤：在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层；从玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透玻璃衬底的第一激光束，以形成穿透金属背电极层的第一刻槽；在金属背电极层上及第一刻槽表面形成铜铟镓硒光吸收层；在铜铟镓硒光吸收层上形成缓冲层；在缓冲层上形成阻挡层；发射第二激光束，以在阻挡层上蚀刻形成深入至金属背电极层的第二刻槽；在阻挡层和第二刻槽表面形成窗口层；发射第三激光束，以在窗口层上蚀刻形成深入至金属背电极层的第三刻槽。上述方法制备的铜铟镓硒薄膜电池具有不易短路的优点。