一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法
- 申请号：CN201010546604.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心
- 公开(公开)号：CN101979707A
- 公开(公开)日：2011.02.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法 | ||
| 申请号 | CN201010546604.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101979707A | 公开（授权）日 | 2011.02.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 | 发明（设计）人 | 夏洋;饶志鹏;刘键 |
| 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法 至一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及石墨烯的制备技术，具体涉及一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法，通过形成一种含有碳原子且碳原子具有未成键电子的物质，与衬底表面原子形成共价键，实现稳定的化学吸附。本发明应用于原子层沉积技术制备石墨烯薄膜，该吸附方法简单易行，能够实现稳定的碳化学吸附。 | ||
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