专利详情

专利名称	一种磁控管溅射装置
申请号	CN200620089273.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN2890079	公开（授权）日	2007.04.18
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	肖金泉;张小波;孙超;宫骏;华伟刚;石南林;闻立时
主分类号	C23C14/35(2006.01)	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01);H01J25/50(2006.01)
专利有效期	一种磁控管溅射装置至一种磁控管溅射装置	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术，更具体地，涉及一种在真空溅射镀膜时使用的溅射装置，包括：磁控管(1)和电磁线圈(6)，彼此同轴相对放置，其中电磁线圈(6) 可以沿着磁控管(1)中心轴线远近移动。通过控制电磁线圈(6) 的电流大小及方向，和改变电磁线圈与磁控管的相对位置，可以方便有效地改变磁控管和基片区域的磁场位形分布，改变基片区域的等离子体密度。此外当电磁线圈(6)通以低频交流电时，靶材表面的刻蚀跑道变宽，刻蚀更均匀，可以简单有效的提高靶材利用率，同时可以改善沉积薄膜的厚度和性能在空间上的不均匀。本实用新型具有结构简单，方便、易操作等特点。